Temp.of deposition((℃): 900-1050
Process pressure(mbar): 100-300
Process temperature((℃): 700-1050
Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Прекурсоры и процессовые газы: TiCl4、AlCl3、CH3CN、H2、N2、Ar、CH4、CO、CO2、HCl、H2S
Подложки для покрытия: Металл, керамика, стекло и т.д.
Видео
Способ покрытия: Химическое отложение паров (CVD)
Общая мощность: Около 40/50/60/80КВт
Видео
Прекурсоры и процессовые газы: TiCl4、AlCl3、CH3CN、H2、N2、Ar、CH4、CO、CO2、HCl、H2S
Размер оборудования для покрытия: Настраиваемый
Видео
Общая мощность: Около 40/50/60/80КВт
Подложки для покрытия: Металл, керамика, стекло и т.д.
Видео
Подложки для покрытия: Металл, керамика, стекло и т.д.
Адгезия покрытия: Сильный
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Температура процесса (((°C): 700-1050
Виды покрытий: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Температура процесса (((°C): 700-1050
Виды покрытий: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Температура процесса (((°C): 700-1050
Виды покрытий: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Максимальная рабочая температура ((°C): 1300
Однородность температуры ((°C): ≤ ± 7
Видео
Эффективное пространство ((мм): 1000*1000*1500
Нагревательная мощность ((KVA): 300
Отправьте запрос непосредственно нам
