al2o3 cvd furnace (14) Онлайн производитель
Отопительная зона: 4 шт./5 шт.
Максимальная температура:: 1100℃
Температура процесса (((°C): 700-1050
Виды покрытий: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Способ покрытия: Химическое отложение паров (CVD)
Общая мощность: Около 40/50/60/80КВт
Напряжение питания: 380 В 50 Гц
Максимальная температура:: 1100°С
Температура процесса (((°C): 700-1050
Виды покрытий: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Температура процесса (((°C): 700-1050
Виды покрытий: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Process temperature((℃): 700-1050
Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Общая мощность: Около 40/50/60/80КВт
Подложки для покрытия: Металл, керамика, стекло и т.д.
Покрывая температура: 200-1050°С
Система охлаждения: 2 комплекта высокопроизводительных водоохлаждаемых конденсатных ловушек
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Реактор: 2PCS
Максимальная температура:: 1100℃
Температура процесса (((°C): 700-1050
Прекурсоры и процессовые газы: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Отправьте запрос непосредственно нам