Несмотря на то, что оба они называются "осаждением", ПЦД и КВД сильно отличаются по функциям.
2026-09-21
Основные причины:
PVD в основном удаляет исходные материалы физическими средствами и транспортирует их на пластину.
СВД позволяет газообразным прекурсорам непрерывно проходить химические реакции на поверхности.
При выборе процесса, реальные вопросы, которые следует рассмотреть, это как материал доходит до поверхности, где формируется пленка, и какой механизм прекращает рост.
Процессы:
PVD: извлечь материалы из твердого источника сначала PVD - это общий термин для физического отложения параВыпаривание использует источники тепла или электронные лучи для испарения материалов; распыливание использует ионы плазмы для бомбардировки цели и уничтожения атом-мишень.Фильмообразующие виды транспортируются в вакууме и наконец конденсируются на поверхности пластины.
CVD: Газы непрерывно реагируют, образуя пленки после достижения поверхности. CVD означает химическое отложение паров.Прекурсоры перемещаются с газовым потоком в окрестности пластины, проходят через пограничный слой, затем адсорбируются, распадаются или реагируют на поверхности.В то время как летучие побочные продукты исчерпаны.
Отправьте запрос непосредственно нам
Политика конфиденциальности Китай Хорошее качество Печь спекания ГИП(горячее изостатическое прессование) Доставщик. 2019-2026 sinterhipfurnace.com . Все права защищены.